特許

J-GLOBAL ID：200903022456125548

薄膜磁気素子およびその製造方法

発明者： 梅津 英治 ,  畑内 隆史 ,  牧野 彰宏
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058322
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板上に薄膜トランスやインダクタなどの薄膜磁気素子を形成するとき、従来は、磁性層、絶縁層、及びコイルを順に積層するか、2枚の基板に分けて積層した後に、貼り合わせるかして形成していたが大出力化と高効率化を両立することは困難だった。【解決手段】 基板31a及び31b上に積層した絶縁層に凹部を形成し、その凹部表面上に、同じく凹状に磁性層32a及び32bを形成し、コイル34a及び34bを磁性層32a及び32bの凹部内に形成し、且つ磁性層32aと32bの端部が互いに重なり合うように、2枚の基板を接合することにより、大出力化のための薄膜磁気素子の大型化を容易にし、なおかつ磁界の漏れを防いで高効率化を達成できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に取出し電極、絶縁層、磁性層、及びコイルが積層されている薄膜磁気素子において、前記磁性層は、前記絶縁層に形成された凹部表面上に同じく凹状に形成され、前記コイルは前記磁性層の凹部内に絶縁されて形成され、且つ前記磁性層の端部が別の磁性層によって覆われていることを特徴とする薄膜磁気素子。

IPC (4件)：

H01F 17/00 ,  G11B 5/31 ,  H01F 1/147 ,  H01F 41/04

FI (4件)：

H01F 17/00 B ,  G11B 5/31 A ,  H01F 41/04 B ,  H01F 1/14 B

Fターム (25件)：

5D033BA07 ,  5D033BA39 ,  5D033BA41 ,  5D033BB01 ,  5D033DA02 ,  5D033DA07 ,  5E041AA11 ,  5E041AA14 ,  5E041AA17 ,  5E041AA19 ,  5E041BC01 ,  5E041CA06 ,  5E062FF01 ,  5E062FG07 ,  5E062FG12 ,  5E070AA01 ,  5E070AA11 ,  5E070AB02 ,  5E070BA11 ,  5E070BB01 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070CC10 ,  5E070DA17 ,  5E070EA01