半導体装置のための、SiまたはSiC上に厚い酸化物を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 青山正和 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-203759
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051225
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】シリコンもしくはシリコンカーバイド基板上に、酸化物層を形成する方法を提供する。【解決手段】トレンチタイプのショットキー装置のトレンチ中に、シリコンもしくはシリコンカーバイド基板のトレンチ中に付着させたポリシリコンの層を酸化することによってゲート酸化物60を形成する。基板の少量もまた酸化されて、基板と形成される酸化物層との間の優れた界面を作り出す。トレンチの角には、最初の成形及び犠牲酸化物層の除去によって丸みが与えられる。【選択図】図3F

請求項（抜粋）：

トレンチタイプのショットキー装置の成形方法であって、基板の表面に距離を開けてトレンチを形成する工程; 前記トレンチ中及び内側に所定の厚さのポリシリコンの層を付着させる工程; 前記ポリシリコンの層を酸化させて所定の厚さの酸化物の層に変換する工程; 前記トレンチに、前記酸化物の層によって前記基板から絶縁された導電性ポリシリコンの層を充填する工程;及び前記基板の最上部に、且つ前記トレンチ間のメサの最上部及び前記トレンチ中の前記導電性ポリシリコンと接触させて、ショットキー接合を設ける工程を含む方法。

IPC (3件)：

H01L29/47 , H01L21/283 , H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/48 P , H01L21/283 B

Fターム (12件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD28 , 4M104EE02 , 4M104EE16 , 4M104FF27 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-326576
特開平4-326576
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-140870 出願人：新日本製鐵株式会社

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