特許
J-GLOBAL ID：200903022462254430
排ガス除害方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052662
公開番号（公開出願番号）：特開2000-246037
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】 排ガスの噴出端領域に排ガス除害成分の生成物が付着成長するのを防止する。【解決手段】 半導体製造装置の排ガスを排ガス導入管42に導入して噴出部44から噴出する。除害剤は除害剤通路30を通してジェットノズル29から噴出する。除害処理通路55で排ガスと除害剤を接触させて排ガス中の有害成分を除害する。シールガス供給管34に供給したシールガスをノズル通路33から噴出し、排ガスの噴出流と除害剤の噴出流を遮断する。シールガス供給管49から導入したシールガスはテーパ壁57に沿って流して壁面上にシールガスの表層を形成する。除害剤供給管59から導入されて環状槽58からオーバーフローした除害剤はテーパ壁57の上端から流し、テーパ壁57の面を除害剤の濡れ面にする。
請求項（抜粋）：
排ガス通路と除害剤通路の少なくとも出側噴出部分を、一方側の通路の外側を他方側の通路で囲んだ2重通路状の噴出部に形成し、この2重通路状の噴出部の下流側に除害処理通路を連接し、排ガス通路の噴出部から噴出する排ガスと除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤とを除害処理通路内で接触させて排ガスの除害を行う構成とし、前記2重通路状の排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域から前記排ガスおよび除害剤の噴出流の間にシールガスを噴出して、2重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤の噴出流を前記シールガスの噴出層によって遮断し、排ガス噴出流と除害剤の噴出流を2重通路状の噴出部端から下流側に離れた位置で接触開始させて排ガスの除害を行うことを特徴とする排ガス除害方法。
Fターム (7件)：
4D032AD01
, 4D032AD04
, 4D032AD06
, 4D032AD09
, 4D032AD10
, 4D032CA01
, 4D032DA01
