特許

J-GLOBAL ID：200903022462511719

薄膜半導体素子およびその製造方法

発明者： 水野 真一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294818
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 単結晶シリコン薄膜太陽電池などにおいて、光の吸収効率を高め、光電変換効率を向上させることができる薄膜半導体素子を提供する。【解決手段】 太陽電池素子10のプラスチックフィルム基板12と反対側の面には透明の薄いプラスチックフィルム基板14が配設されている。プラスチックフィルム基板14と太陽電池素子10との間には回折格子15が配設されている。回折格子15はアルミニウム(Al)等の導電材料で作成された反射型のブレーズド・グレーティング構造を有している。入射光は回折格子15において回折されて再び太陽電池素子10へ戻る。この回折角度がある値以上に大きいときには、太陽電池の法線に対する角度が増大し、シリコン薄膜層(太陽電池素子10)の上面あるいは透明プラスチックフィルム基板12の表面において全反射されて太陽電池素子10に戻る。このような太陽電池素子10に戻る過程を繰り返すことにより、光が太陽電池素子10の内部に閉じ込められる。

請求項（抜粋）：

入射光を電気信号に変換するための光電変換層と、この光電変換層の光の入射側と反対側に配設され、前記光電変換層を透過した光を前記光電変換層側へ反射させる回折機能層とを備えたことを特徴とする薄膜半導体素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 A

Fターム (3件)：

5F051CB30 ,  5F051HA20 ,  5F051JA14