特許
J-GLOBAL ID：200903022467582819
高開口率及び高透過率液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148725
公開番号（公開出願番号）：特開2000-029072
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 画質特性を改善し、高開口率及び高透過率を得ることのできる高開口率及び高透過率液晶表示装置を提供する。【解決手段】 所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスライン21とデータバスライン22と、下部基板のサブ画素内にそれぞれ形成されるカウンタ電極23と、下部基板のサブ画素内に形成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電極24と、ゲートバスライン21とデータバスライン22の交点近傍に形成され、ゲートバスライン21の選択時、データバスライン22の信号を画素電極24にスイッチングする薄膜トランジスタ25と、上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜とを備える。
請求項（抜粋）：
所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、前記下部基板のサブ画素内にそれぞれ形成されるカウンタ電極と、前記下部基板のサブ画素内に形成され、カウンタ電極と共に電界を形成する画素電極と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジスタと、前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜とを備え、前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素のカウンタ電極と画素電極の間には、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜線形の第1電界が形成され、前記サブ画素の隣接したサブ画素のカウンタ電極と画素電極の間には、前記第1電界と対称をなす斜線形の第2電界が形成されることを特徴とする、高開口率及び高透過率液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1337 500
, G02F 1/1343
G02F 1/136 500
, G02F 1/1337 500
, G02F 1/1343
