特許
J-GLOBAL ID：200903022468603720
ベース金属箔上に形成された柱状粒子を有する高静電容量密度の薄膜誘電体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-200567
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088485
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】高静電容量密度、低損失正接、高絶縁破壊電圧、及びその他の好ましい電気的および物理的特性を有する薄膜誘電体の製造方法を提供すること。【解決手段】熱処理し磨いた金属箔上に、柱状粒子および高誘電率を有する堆積させた薄膜誘電体を形成し、スパッターし、低酸素分圧下でアニールすることにより、高静電容量密度の薄膜誘電体を得る。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
コンデンサーの製造方法であって、
金属箔を提供する工程と、
前記金属箔を第1回目にアニーリングする工程と、
前記金属箔を磨く工程と、
前記金属箔上にコンデンサーを形成する工程と、
を含み、
前記コンデンサーを形成する工程が、
第2回目の加熱がされた金属箔上に高誘電率の材料を含む誘電体層を堆積する工程と、
前記誘電体層を焼成する工程と、
前記誘電体上に導電層を形成する工程と、
を含み、
前記コンデンサーの誘電体層が柱状粒子を表面に呈していることを特徴とするコンデンサーの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/06 102
, H05K1/18 R
5E082AB02
, 5E082BB07
, 5E082EE05
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG42
, 5E336AA04
, 5E336AA08
, 5E336BC26
, 5E336CC31
, 5E336CC53
, 5E336GG11
