特許
J-GLOBAL ID:200903022469457280

有機EL素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-058518
公開番号(公開出願番号):特開2005-251497
出願日: 2004年03月03日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】 画素間に絶縁膜を有する有機EL素子において、絶縁膜の高耐熱性を確保しつつ、上下電極間の短絡を極力抑制する。【解決手段】 基板10上に、下部電極としての陽極20、発光層33を含む有機膜30、上部電極としての陰極40が積層されてなる複数個の画素50を有するとともに、基板10上にて各々の画素50の間に配置された絶縁膜60を有する有機EL素子S1において、絶縁膜60は、少なくとも1種類以上の無機元素を含む絶縁材料より形成されたものであり、絶縁膜60におけるエッジ先端部61の表面の凹凸の大きさが、有機膜30の全膜厚の35%以下の大きさである。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板(10)上に、下部電極(20)、発光層(33)を含む有機膜(30)、上部電極(40)が積層されてなる複数個の画素(50)を有するとともに、前記基板(10)上にて各々の前記画素(50)の間に配置された絶縁膜(60)を有する有機EL素子において、 前記絶縁膜(60)は、少なくとも1種類以上の無機元素を含む絶縁材料より形成されたものであり、 前記絶縁膜(60)におけるエッジ先端部(61)の表面の凹凸の大きさが、前記有機膜(30)の全膜厚の35%以下の大きさであることを特徴とする有機EL素子。
IPC (4件):
H05B33/22 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14
FI (4件):
H05B33/22 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A
Fターム (7件):
3K007AB08 ,  3K007AB13 ,  3K007AB14 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第2734464号公報
審査官引用 (4件)
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