特許

J-GLOBAL ID：200903022476537249

半導体レーザの集光光学系

発明者： 石田 英伸 ,  牧尾 諭
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284198
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135571
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 開口数NAを一定に保ちつつ断面光強度分布が真円形状に近い集光状態を実現するための集光光学系を提供する。【解決手段】 半導体レーザの活性層に平行な方向をx座標とし、垂直な方向をY座標とした場合に、前記半導体レーザからの発散光束を微小スポットに集光するための光学系であって、前記半導体レーザの発散光束を平行ビームとし、その平行ビームのx方向に関するビーム幅を縮小するビーム幅縮小機構を設けたことを特徴とする半導体レーザの集光光学系。

請求項（抜粋）：

半導体レーザの活性層に平行な方向をx座標とし、垂直な方向をY座標とした場合に、前記半導体レーザからの発散光束を微小スポットに集光するための光学系であって、前記半導体レーザの発散光束を平行ビームとし、その平行ビームのx方向に関するビーム幅を縮小するビーム幅縮小機構を設けたことを特徴とする半導体レーザの集光光学系。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02B 27/09

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02B 27/00 E