特許

J-GLOBAL ID：200903022481278375

薄膜デバイスの絶縁膜形成方法

発明者： 中東 孝浩 ,  桑原 創
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218010
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 薄膜デバイスの絶縁膜形成方法であって、従来よりもステップカバリッジにすぐれ、より平坦な絶縁膜を形成することができる方法を提供する。【構成】 有機シラン-O3 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記O3 の供給を間欠的に行うことを特徴とする薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

請求項（抜粋）：

有機シラン-O3 系ガスを原料ガスとするプラズマCVD法を採用し、前記O3 の供給を間欠的に行うことを特徴とする薄膜デバイスの絶縁膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-120744