特許
J-GLOBAL ID:200903022481755815
太陽電池素子
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-159045
公開番号(公開出願番号):特開2001-339078
出願日: 2000年05月29日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】 電極用ペースト材料を焼き付けて形成する際に、シリコン基板の反りによる歩留り低下を招くという問題があった。【解決手段】 半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る第一電極をAlを含むAgを主体とした金属材料で形成し、この第一電極のフィンガー部を覆うようにその上にAlから成る第二電極を形成した太陽電池素子において、前記フィンガー部上の第二電極をドット状に形成したり、半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る第一電極をAlを含むAgを主体とした金属材料で形成し、この第一電極のフィンガー部を覆うようにその上にAlから成る第二電極を形成した太陽電池素子において、前記第二電極を帯状に形成すると共に、前記第一電極のバスバー部に対して平行に形成する。
請求項(抜粋):
半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る第一電極をAlを含むAgを主体とした金属材料で形成し、この第一電極を覆うようにその上にAlから成る第二電極を形成した太陽電池素子において、前記フィンガー部上の第二電極をドット状に形成したことを特徴とする太陽電池素子。
Fターム (10件):
5F051AA02
, 5F051BA11
, 5F051BA17
, 5F051CB27
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA30
, 5F051GA04
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
特開平4-181782
-
太陽電池およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-276810
出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (2件)
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特開平4-181782
-
太陽電池およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-276810
出願人:シャープ株式会社
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