特許

J-GLOBAL ID：200903022483024141

低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209148
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 ギャップフィル能力、グローバル平坦化能力および密着性に優れた低誘電率絶縁体膜の形成方法、およびこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 テトラフルオロエチレン、シランおよびH2 O2 を含む原料ガスを用い、液相CVD法により低誘電率絶縁体膜15を形成する。【効果】 フルオロカーボン系樹脂成分と酸化シリコンとの共重合体材料が形成される。したがって、シリコン基板や酸化シリコン等との密着性に優れ、エッチング特性等の加工性もよい。

請求項（抜粋）：

フルオロカーボン系樹脂成分を含有する酸化シリコン系絶縁膜を、被処理基板上に化学的気相成長法により成膜する低誘電率絶縁体膜の形成方法において、前記化学的気相成長法に用いる原料化合物は、少なくともテトラフルオロエチレン、シラン系化合物およびH2 O2 を含むことを特徴とする低誘電率絶縁体膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K