特許
J-GLOBAL ID：200903022483064798
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333856
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 低蒸気圧のソースを用いたCVD法を高速かつ安定に行うと共に、高品質で均一な膜分布が得られるようにする。【構成】 基板に対向したソース貯めを加熱して、ソースを昇華させる。ガスはそのまま対向した基板上で分解し、膜が形成される。ここで[ソース貯め温度]>[基板温度]とすることにより、熱泳動効果と通常の拡散の両方を利用してソースガスを高速で基板表面に輸送する。この結果、蒸気圧の低い固体ソースを用いて高速の成膜が実現できる。
請求項（抜粋）：
成膜対象基板を保持する基板保持機構と、該基板保持機構に対向した交換可能な固体ソース貯めと、該固体ソース貯めを加熱するヒーターと、前記固体ソース貯めと前記基板との間に設けられた移動および交換可能なシャッターとを備え、前記固体ソース貯めの温度が前記基板の表面温度より高い温度で動作することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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