特許
J-GLOBAL ID：200903022486848439
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314382
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152350
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】不正な制御コマンドが入力された場合にデータの破壊を防止する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】複数サイクルにまたがってメモリセルへのアクセスを行なう半導体記憶装置における制御回路42は、内部コマンド発生回路102と、マスク信号発生回路104とを含む。内部コマンド発生回路102は、制御コマンドを受け、マスク信号CmaskがLレベルのとき、メモリセルへのアクセス動作を指示する信号INTCOMをHレベルで出力し、マスク信号CmaskがHレベルのとき、ラッチ回路G4がリセットされるため、信号INTCOMをLレベルで出力する。マスク信号発生回路104は、信号INTCOMがHレベルで出力されると、次の1サイクルについてマスク信号CmaskをHレベルで出力する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
外部クロックの立上がりと立下がりとに同期して外部とデータのやり取りを行なう半導体記憶装置であって、
データを記憶する複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルに対してデータの入出力を行なう内部回路と、
前記外部クロックの連続する複数周期を動作単位として前記内部回路の動作を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、外部から入力された制御コマンドに基づいて、前記内部回路の動作を指示する内部制御コマンドを発生する内部コマンド発生回路を含み、
前記内部コマンド発生回路は、前記複数周期内に発生される複数の内部制御コマンドに対応する複数の制御コマンドを受けたとき、第1および第2の処理のいずれかを実行し、
前記第1の処理は、前記複数の制御コマンドのいずれか1つに対応する内部制御コマンドを発生してその他の制御コマンドを無効とし、
前記第2の処理は、前記複数の制御コマンドをすべて無効とする、半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C11/34 362C
, G11C11/34 362S
, G11C11/34 354C
5M024AA33
, 5M024BB07
, 5M024BB34
, 5M024DD80
, 5M024GG02
, 5M024GG15
, 5M024HH09
, 5M024HH11
, 5M024JJ03
, 5M024JJ32
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP07
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
