特許

J-GLOBAL ID：200903022488547584

電界効果型トランジスタ

発明者： 横道 泰典
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 鍬田 充生 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192841
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022670
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 有機高分子を用いて、電極の電導度が大きく、ゲート電圧による応答性が高く、ドレイン電流を精度よく制御できるFET素子を得る。【構成】 下記式(I)【化1】(式中、Ar1およびAr2は、ベンゼン、ナフタレンなどの共役系芳香環又はピロール、ピリジンなどの共役系複素環を示す。mは1以上の整数、nは0又は1、pは0又は1以上の整数、qは2以上の整数を示す。ただし、nが1であるときpは1以上の整数である)で表される繰返し単位を有する高分子を、電界効果型トランジスタの半導体層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極として用いる。上記高分子は、主鎖のアゾ基と共役系芳香環や共役系複素環とが結合している。

請求項（抜粋）：

半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうち少なくとも1つのエレメントが、下記式(I)で表される繰返し単位を有する共役系高分子で形成されている電界効果型トランジスタ。【化1】(式中、Ar1およびAr2は置換基を有していてもよい共役系芳香環又は置換基を有していてもよい共役系複素環であって、mおよびpにより異なっていてもよく、mは1以上の整数、nは0又は1、pは0又は1以上の整数、qは2以上の整数を示す。ただし、nが1であるときpは1以上の整数である)

IPC (4件)：

H01L 51/00 ,  C08G 73/00 NTB ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/46 Z ,  H01L 29/78 311 B