特許

J-GLOBAL ID：200903022497034492

光半導体装置用パッケージ

発明者： 瀬田 崇
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-093263
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251954
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】確実に接着代に一定量の接着剤を供給して、周辺への接着剤による汚染と接着剤の収縮によるレンズの変形や光軸の狂いを防止出来る光半導体装置を得る事が可能なパッケージを提供すること。【解決手段】収容部4の周囲にレンズを嵌合させる第一の溝7が形成され、該溝7と離間する位置に窪み9が形成され、第一の溝7と窪み9とを連通する第二の溝8が第一の溝7よりも浅く形成されており、第一の溝7に接着剤を流し込むと第二の溝8を経て窪み9へ流出するので第一の溝7の液面が一定に保たれ、周辺を接着剤の浸入で汚染する事なく、過剰な接着剤による接着剤収縮時の応力によるレンズの変形や光軸の狂いを防止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リードと該リードを包含する収容体とを備え、前記収容体に前記リードの一部を露出する底面を有する凹部である収容部が形成され、前記リードの一端部が前記収容体の外部へ延出して外部接続端子を形成する半導体装置用パッケージに於いて、 前記収容部を取り囲む第一の溝が形成され、 前記第一の溝と離間した位置に窪みが形成され、 前記第一の溝と前記窪みとを連通する第二の溝が形成され、 前記収容体の主面を基準として、前記第一の溝深さよりも前記第二の溝深さが浅く形成された事を特徴とする光半導体装置用パーケージ。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  H01L31/02 B ,  H01L23/28 C

Fターム (13件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA04 ,  4M109DB06 ,  4M109GA01 ,  5F041AA35 ,  5F041DA19 ,  5F041DA77 ,  5F041EE12 ,  5F041EE16 ,  5F088BA16 ,  5F088JA05 ,  5F088JA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光ピックアップ用対物レンズ取付構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174684   出願人：松下電器産業株式会社