特許
J-GLOBAL ID：200903022497696614
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007793
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【構成】 マイクロ波発振器23とマイクロ波を伝送する導波管22と導波管22に接続された誘電体線路21と誘電体線路21に対向配置されたマイクロ波導入窓14を有する反応器11と反応器11内に配設された試料保持部15aと試料保持部15aに高周波を印加する高周波電源18とマイクロ波導入窓14と試料保持部15aとの間に設けられ、マイクロ波透過孔24aを有するアースされた導電体板24とを備えたプラズマ処理装置において、マイクロ波透過孔24aに誘電体板24が配設されているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 フッ素系ガス等の腐食系のガスを使用してエッチング等の処理を行っても、マイクロ波導入窓14のエッチングを防止することができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内に配設された試料保持部と、前記マイクロ波導入窓と前記試料保持部との間に配設され、透過孔を有するアースされた電極とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、前記透過孔に誘電体板が配設されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
H05H 1/46 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
, H01L 21/302 C
