特許
J-GLOBAL ID：200903022499867203
非単結晶光半導体およびその製造方法ならびに電子写真感光体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351818
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186571
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 非晶質や微結晶の非単結晶III-V族化合物半導体の欠点を改善し、アモルファス半導体における水素の役割を生かし、優れた光導電特性、高速応答性であり、経時変化が少なく耐環境特性および耐高温性を有し、光学的に活性であり、かつ、安価な新しいオプトエレクトロニクス材料として好適な非晶質光半導体を提供する。【解決手段】 少なくとも、水素と周期律表におけるIII 族元素と窒素とを含む非単結晶光半導体であって、該非単結晶光半導体の含有元素間の結合を示す赤外吸収スペクトルの吸収ピークの吸光度の比IN-H /IC-H が3以上であり、かつ、IN-H /IIII-H が0.05以上であり、かつ、IIII-N /IIII-H が1.5 以上であり、かつ、III 族元素とチッ素との結合を示す吸収ピークが単一状の吸収帯で、かつ、吸収ピークの半値幅が250 cm-1以下である非単結晶光半導体。
請求項（抜粋）：
少なくとも水素と周期律表におけるIII 族元素と窒素とを含む非単結晶光半導体であって、該非単結晶光半導体の赤外吸収スペクトルの、窒素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H) と、炭素と水素との結合を示す吸収ピーク(C-H) との、吸光度の比IN-H /IC-H が3以上であり、かつ、窒素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H) と、III 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)との、吸光度の比IN-H /IIII-H が0.05以上であり、かつ、III族元素と窒素との結合を示す吸収ピーク(III -N)と、III 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)との、吸光度の比IIII-N /IIII-H が1.5 以上であり、かつ、吸収ピーク(III -N)が単一状の吸収帯で、かつ、吸収ピーク(III -N)の半値幅が250 cm-1以下であることを特徴とする非単結晶光半導体。
IPC (3件)：
H01L 31/0264
, G03G 5/08
, H01L 31/08
H01L 31/08 N
, G03G 5/08 Z
, H01L 31/08 Q
