特許
J-GLOBAL ID：200903022510986309
光電変換装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273826
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】電極の構造及びその製造方法によって、電極幅を低減して電極占有面積を縮小しながら、電極断面積を確保して、光電変換効率を向上させるとともに、電極周辺の表面再結合を低減することができ、さらに、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】受光面に2種類の異なるドーパント濃度の第2導電型層3、7を有する第1導電型の半導体基板2と、受光面電極6と、裏面電極9とから構成される光電変換装置であって、半導体基板2の受光面に窪みが形成され、窪み内面にドーパント濃度が高い第2導電型層7が配置しており、受光面電極6が、ドーパント濃度が高い第2導電型層7に接触して形成されている光電変換装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光面に2種類の異なるドーパント濃度の第2導電型層を有する第1導電型の半導体基板と、受光面電極と、裏面電極とから構成される光電変換装置であって、
前記半導体基板の受光面に窪みが形成され、該窪み内面にドーパント濃度が高い第2導電型層が配置しており、前記受光面電極が、前記ドーパント濃度が高い第2導電型層に接触して形成されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F051AA02
, 5F051BA16
, 5F051CB12
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051GA02
, 5F051GA15
, 5F051HA03
