特許
J-GLOBAL ID：200903022512955354

高度に配向された磁気薄膜、これを用いた記録媒体、変換器、デバイス、および製造方法

発明者：
ランベス,デーヴィッド・エヌ

ランベス,デーヴィッド・エヌ について

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ローリン,デーヴィッド・イー

ローリン,デーヴィッド・イー について

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ゴング,ヘング

ゴング,ヘング について

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ヤング,ウェイ

ヤング,ウェイ について

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ズー,ジー

ズー,ジー について


出願人/特許権者：
カーネギー-メロン ユニバーシティ

カーネギー-メロン ユニバーシティ について


代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519886
公開番号（公開出願番号）：特表2001-523032
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】本発明は、膜の結晶構造において長距離の整列を有する高度に配向された膜を有する磁気および磁気光学的記録媒体、およびこれから構築された変換器およびデータ記憶デバイスを提供する。記録媒体は、(1010)結晶集合組織を有するCo系材料、例えばCoまたは1つまたはそれ以上のCo合金からなる磁気記録層、基体、fcc構造および(110)結晶集合組織を有し、基体と磁気記録層との間に配置されている第1の下層を含む。また、bcc構造および(112)結晶集合組織を有する第2の下層が、磁気記録層と第1の下層との間に配置されている。特に、(110)Si単結晶基体がfcc構造を有する非酸化のある種の金属、例えばAg、Cu、Al、およびCu、およびL10およびL12構造等のfcc誘導体構造である場合、これはSi表面でエピタキシャル成長することができる。
請求項（抜粋）：
基体と;(101 ̄0)結晶集合組織を有し、磁気記録層を形成しているCoまたはCo合金膜と;(i)面心立方構造および(110)結晶集合組織を有し、前記基体と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも1つの第1の下層、および(ii)体心立方構造および(112)結晶集合組織を有し、前記第1の下層と前記磁性体層との間に配置されている少なくとも1つの第2の下層を有する下層構造と、を含む記録媒体。
IPC (11件)：
G11B 5/64 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/85 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 521 ,  G11B 11/105 526 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (11件)：
G11B 5/64 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/667 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/85 Z ,  G11B 11/105 506 Z ,  G11B 11/105 521 B ,  G11B 11/105 526 C ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
Fターム (32件)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006CB01 ,  5D006FA09 ,  5D033BA03 ,  5D075EE03 ,  5D075FF02 ,  5D075FF12 ,  5D075FG12 ,  5D075GG02 ,  5D093AA05 ,  5D093BC07 ,  5D093BD01 ,  5D093JA01 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA11 ,  5D112BA02 ,  5D112BB05 ,  5D112BD03 ,  5D112BD04 ,  5D112FA02 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049BA08 ,  5E049BA23 ,  5E049DB02 ,  5E049DB11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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