特許

J-GLOBAL ID：200903022518849556

半導体装置およびその製造方法

発明者： 奥和田 久美 ,  清利 正弘 ,  山崎 壮一 ,  川崎 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-009198
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221446
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】高電界であっても電極間のリーク電流が少ないMIM構造のキャパシタの製造方法を提供すること。【解決手段】下部金属電極7の上に金属酸化物膜8a、8b、8cを順次積層して誘電体膜8を形成する。このとき、各金属酸化物膜膜8a、8b、8cの成膜の度に結晶温度以下の温度でのアニールを行い、各金属酸化物膜8a、8b、8cをアモルファスとする。このアニールに当たって、金属酸化物膜8b、8cの場合は、O2を紫外光励起した活性化酸素雰囲気中で行うが、金属酸化物膜8aの場合は、下部電極7の酸化の度合いを少なくするため、活性化酸素を用いず通常の酸素雰囲気中でアニールを実施する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の金属電極と、 前記第1の金属電極の上に形成されたアモルファスの金属酸化物からなる誘電体膜と、 前記誘電体膜の上に形成された第2の金属電極とから成るキャパシタを有し、 前記誘電体膜が、前記金属酸化物の堆積方向に沿って少なくとも2箇所の高濃度領域のある不均一な不純物濃度分布を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 X ,  H01L27/04 D

Fターム (19件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF46 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10