特許
J-GLOBAL ID：200903022522402132
液相エピタキシャル成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011452
公開番号（公開出願番号）：特開平5-201791
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長用単結晶基板の再利用を可能にし、基板材料のロスを減少させる。【構成】 厚みの大きい単結晶原料を基板として使用してエピタキシャル成長し、成長後基板とエピ製品を分離することにより、基板の再使用を可能にする。【効果】 従来に比べて、多量の製品を少ない単結晶原料で製造できるので、液相エピタキシャル成長方法として利用すると非常に効果的である。
請求項（抜粋）：
スライド法による化合物半導体結晶の液相エピタキシャル成長方法において、厚み600μm以上の単結晶基板を用いることを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
C30B 19/12
, C30B 29/40 501
, H01L 21/208
