特許

J-GLOBAL ID：200903022524127368

金属パターン膜の形成方法

発明者： フン・ホ
出願人/特許権者： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169864
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216024
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の製造工程での金属パターンの形成方法において、気孔性が高いARC膜を用いてホトレジストパターンのノッチング現象をさらに抑制させる。【構成】 半導体基板上に金属膜を全面にわたって形成するステップ;金属膜上に気孔性が高いARC膜を全面にわたって形成するステップ;ARC膜上にホトレジスト膜を全面にわたって形成するステップ;ホトレジスト膜にホトリソグラフィ工程とエッチング工程を順次に行ってホトレジストパターンを形成するステップ;残存するホトレジストパターンをエッチングマスクとしてARC膜および金属膜をパターニングするステップ;残存するARC膜を除去して金属のパターン膜のみを残存させるステップ;を含む半導体素子の金属膜の形成方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属膜を全面にわたって形成するステップ;金属膜上に気孔性が高いARC膜を全面にわたって形成するステップ;ARC膜上にホトレジスト膜を全面にわたって形成するステップ;ホトレジスト膜にホトリソグラフィ工程とエッチング工程を順次に行ってホトレジストパターンを形成するステップ;残存するホトレジストパターンをエッチングマスクとしてARC膜および金属膜をパターニングするステップ;残存するARC膜を除去して金属のパターン膜のみを残存させるステップ;を含むことを特徴とする金属パターン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-199043
  
• 特開平2-167501
  
• 特開昭62-076724
  
• 特開昭61-223743