特許
J-GLOBAL ID:200903022526752626

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-118216
公開番号(公開出願番号):特開平5-145008
出願日: 1992年04月10日
公開日(公表日): 1993年06月11日
要約:
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の過渡の温度上昇による破壊を自己で自動的に防止する。【構成】 PN接合ダイオード11と抵抗12とで構成した温度センサー10の出力を、一対のMOSトランジスタ16、18で構成したインバータ20に供給し、このインバータ20の出力をMOSトランジスタ24に供給する。MOSトランジスタ24は、インバータ20の出力即ち温度センサー10の出力に基づいて、内部回路30への電力の供給を制御する。
請求項(抜粋):
PN接合を含む素子を有する温度センサーと、この温度センサーの出力が供給されるインバータと、このインバータの出力に基づいて内部回路への電力の供給を制御する制御手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 23/58 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭56-120153
  • 特開昭58-077329

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