特許
J-GLOBAL ID：200903022529443446
バンプ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357604
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182972
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ウェハー上に多数形成されたチップの電極部上に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプを形成でき、また耐衝撃性、耐応力の高い金属バンプを得るバンプ形成方法を提供する。【構成】 ウェハー1上に多数形成されたチップの電極部4上にバンプを形成する際に、ウェハー上の全面にバリアメタル11を被着した後、フォトリソグラフィにより電極部4位置にレジスト膜を形成し、次にバリアメタルをエッチングした後レジスト膜を剥離し、ポリイミド前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによりパッシベーション膜を形成し、ポリイミド前駆体を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置の周囲にポリイミド前駆体を残存し、ポリイミドキュアにより枠状ポリイミドバンプ16を形成した後、この枠状ポリイミドバンプ16内に金属バンプ17を形成する。
請求項（抜粋）：
ウェハー上に多数形成されたチップの電極部上にバンプを形成するに於いて、先ずウェハー上の全面にバリアメタルをスパッタリングにより被着し、次に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置にレジスト膜を形成し、次いでバリアメタルをエッチングした後前記レジスト膜を剥離し、次にポリイミド前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによりパッシベーション膜を形成し、次にポリイミド前駆体を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置の周囲にポリイミド前駆体を残存し、次いでポリイミドキュアにより枠状ポリイミドバンプを形成し、然る後この枠状ポリイミドバンプ内に電極部をカソードとして湿式電解メッキ法により金属バンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, C25D 5/02
, C25D 7/12
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
