特許

J-GLOBAL ID：200903022532007193

半導体発光素子

発明者： 波多野 吾紅 ,  泉谷 敏英 ,  大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046202
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219541
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 低動作電流で動作する、信頼性の高い窒化物半導体系発光素子を提供すること【解決手段】 基板上に活性層を含むダブルヘテロ接合を構成するように積層されたGaN系半導体層と、このGaN系半導体層上に形成されたGaN系半導体からなる電流阻止層とを備える窒化物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を含むダブルヘテロ接合を構成するように積層されたGaN系半導体層と、このGaN系半導体層上に形成された電流阻止層とを備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-275682
  
• 特開平2-275682
  
• 特開平2-229475
  
• 特開平2-229475