特許

J-GLOBAL ID：200903022534289498

無電解ビスマスめっき膜の形成方法および無電解ビスマスめっき浴

発明者： 千田 厚生 ,  中川 卓二 ,  高野 良比古
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019751
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214549
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 従来、不可能とされていたビスマスの無電解めっきを可能にする。【構成】 三塩化ビスマスを含むめっき浴に、還元剤として、塩化第一スズのようなスズの2価の水溶性化合物を用い、無電解ビスマスめっき膜を形成する。

請求項（抜粋）：

3価のビスマスの塩、還元剤としてスズの2価の水溶性化合物、および錯化剤を含むめっき浴を用いる、無電解ビスマスめっき膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-284083
  
• 特公昭56-012317
  
• 特開平3-130391