特許
J-GLOBAL ID：200903022535053684
III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193749
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023903
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 フローチャネルに副生成物が生成しても、結晶成長条件の変動とフローチャネルの破損を招くことがなく、さらに、フローチャネルを清掃するときに副生成物の除去を容易に行うことのできるIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 石英から構成されるフローチャネル2の副生成物が堆積しやすい部分11に金属インジウム層12を形成する。
請求項（抜粋）：
石英等のフローチャネルに原料ガスを送り込み、送り込まれた原料ガスを熱分解することによって所定の基板の上に結晶を成長させるIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、前記フローチャネルの前記原料ガスからの副生成物が堆積する部分に、金属インジウム、金属ガリウム等の金属層を形成し、前記金属層が形成された状態で前記結晶の成長を行うことを特徴とするIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
Fターム (12件)：
5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF09
, 5F045BB14
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EK02
