特許
J-GLOBAL ID:200903022538953414

発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-177583
公開番号(公開出願番号):特開2006-351918
出願日: 2005年06月17日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【課題】任意の波長の光が容易に得られる光源を提供する。【解決手段】p型半導体層103の表面に一部が埋め込まれた埋め込み電極層104を備え、埋め込み電極層104の一部に重なるように、p型半導体層103の上に誘電体層105,金属層106,オーミックコンタクト層108,及び電極109からなる積層構造体が形成されている。埋め込み電極層104の一部と金属層106の一部とで異種金属によるトンネル接合が形成されている。また、金属層106においては、誘電体層105の側にグレーティング107が形成されている。また、上記積層構造体の部分の両側に溝131が形成され、層間絶縁層102及び誘電体層105をクラッドとし、これらに挾まれた部分のp型半導体層103をコアとする光導波路が形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一方の面に周期的な凹凸が形成された金属層と、 前記金属層の前記一方の面に接触して形成された誘電体層と、 この誘電体層の他方の面側に設けられた光導波路と、 前記誘電体層の前記他方の面側の一部に接して設けられた電極部と を少なくとも備え、 前記電極部と前記誘電体層との接触部分において、前記金属層,前記誘電体層,及び前記電極部からなるトンネル接合が形成されている ことを特徴とする発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  G02F 1/365
FI (2件):
H01L33/00 A ,  G02F1/365
Fターム (10件):
2K002AA07 ,  2K002AB27 ,  2K002BA06 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002GA10 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57

前のページに戻る