特許
J-GLOBAL ID：200903022540085489
電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294032
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120250
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】高いキャリア濃度のn型GaAs層により利得を向上し、かつ、ゲート耐圧の低下が起こらない電界効果トランジスタの構成を提供する。【構成】(a)厚さd<SB>2</SB>[cm]のn型GaAsからなるチャンネル層と、(b)該チャンネル層上に形成された厚さd<SB>1</SB>[cm]の実質的に不純物を含有しないAlGaAs層と、(c)該チャンネル層とオーミック接合するソース電極およびドレイン電極と、(d)前記ソース電極およびドレイン電極間で前記AlGaAs層とショットキー接合を形成するゲート電極とを含み、(e)前記チャンネル層のキャリア濃度N<SB>d</SB>[/cm<SP>3</SP>]が(5×10<SP>12</SP>)/(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)<N<SB>d</SB><(2×10<SP>18</SP>×d<SB>1</SB>)/d<SB>2</SB>を満たす。
請求項（抜粋）：
(a)厚さd<SB>2</SB>[cm]のn型GaAsからなるチャンネル層と、(b)該チャンネル層上に形成された厚さd<SB>1</SB>[cm]の実質的に不純物を含有しないAlGaAs層と、(c)該チャンネル層とオーミック接合するソース電極およびドレイン電極と、(d)前記ソース電極およびドレイン電極間で前記AlGaAs層とショットキー接合を形成するゲート電極とを含み、(e)前記チャンネル層のキャリア濃度N<SB>d</SB>[/cm<SP>3</SP>]が(5×10<SP>12</SP>)/(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)<N<SB>d</SB><(2×10<SP>18</SP>×d<SB>1</SB>)/d<SB>2</SB>を満たすことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
