特許

J-GLOBAL ID：200903022544340882

絶縁ゲート型半導体装置とその製造方法

発明者： 長谷川 滋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058406
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255902
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 トレンチ溝に埋め込まれたポリシリコンのクラック耐量が高く、均一なソース層の安定した形成が可能なトレンチゲート型半導体装置とその製造方法を得る。【構成】 トレンチゲートとソース電極を絶縁するための絶縁膜を、ソース層を形成するための拡散ソースを含んだ絶縁酸化膜で形成し、自己整合的に熱拡散によりトレンチゲートに沿ったソース層の形成を行う。【効果】 本発明によれば、トレンチ溝に埋め込まれたポリシリコンのクラック耐量が高く、トレンチ間隔が小さいトレンチゲート型半導体素子においても、トレンチ形成時の位置ずれの影響を受けずに、トレンチ溝全側面において濃度、形状が均一で、カソード電極との接触状態も同一であるNソース層を、安定して得ることが可能となるほか、同時にポリシリコンゲートの配線抵抗の低減が可能となる。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体層に設けられたトレンチ部に、ゲート電極を埋設してなるトレンチゲート型の絶縁ゲート型半導体装置において、前記トレンチ部に埋設されたゲート電極の上部両端が、弧状に構成されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。