特許

J-GLOBAL ID：200903022544778136

記憶方法および装置

発明者： 櫻井 利夫 ,  長谷川 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社 東北テクノアーチ
代理人 (1件)： 重信 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375603
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189041
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】外乱に対しても耐性があり、また、消去可能なナノメートル・サイズの微少変化を行い、情報の記憶を行う。【解決手段】半導体基板106上に設けた金属薄膜104に対して、探針102により基板106との間で電圧を制御装置150により印加する構成である。探針102に半導体基板106に対して、金属薄膜の厚さが6.0nmのとき、例えば4V程度の高い負の極性を有する電圧を印加する。これにより、電子が、対応するエネルギーで探針102から放出されて、金属薄膜104に送られ、金属薄膜と半導体基板との界面(接合部)に対して注入される。これで可逆的にBEEM電流の透過が0の領域を形成することができる。

請求項（抜粋）：

金属薄膜と半導体基板とで構成し、前記金属薄膜と前記半導体基板との接合部にショットキー接合を有する記憶媒体に対して、前記接合部に物理的変化を起こして記憶する記憶方法であって、前記金属薄膜に接近して設置されている探針から前記金属薄膜に対して電子を打ち込むことで、金属薄膜と半導体基板の前記接合部に透過電流が流れない微少領域を作成することで情報を記憶し、前記微少領域に、前記探針に前記金属薄膜に対して正の電圧を印加することで透過電流を回復することを特徴とする記憶方法。