特許
J-GLOBAL ID：200903022551026387
光半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278543
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029716
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 活性層への注入効率を高めることができ、低しきい値でかつ高速特性の優れた多重量子井戸構造の半導体レーザを提供すること。【構成】 In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x≦1)を井戸層とする多重量子井戸活性層32と、この活性層32の上に形成されたInPに格子整合する第1のp型クラッド層33と、活性層32の側面に形成された、p型クラッド層33よりもアクセプタ濃度の高い第2のp型クラッド層37とを備えた多重量子井戸構造の半導体レーザであり、第1のp型クラッド層33のアクセプタ濃度を活性層32から0.25μmの範囲で2×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以下に設定し、第2のp型クラッド層37のアクセプタ濃度を1×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>以上に設定し、活性層32の井戸層をIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.53<x≦1)から形成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、電子のドゥ・ブロイ波長以下の層厚を有し半導体基板と格子整合しない第1の半導体層を該第1の半導体層よりも禁制帯幅が広い第2の半導体層で挟んだ歪量子井戸を少なくとも一つ有するストライプ状の光導波路層を有し、この光導波路層の周囲を第2の半導体層より禁制帯幅の広い半導体からなるクラッド層で囲んだ構造を有する光半導体素子において、第1の半導体層の基板面と平行でない界面が基板法線方向に対して45度以上の角度を有する面により構成されていることを特徴とする光半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 1/025
, H01L 27/15
