特許
J-GLOBAL ID：200903022551698474
不揮発性記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275840
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】フローティングゲートとコントロールゲートとを有する不揮発性記憶素子において、さらなる素子の高性能化、微細化を可能にすること。【構成】フローティングゲート14とコントロールゲート16との間に介在されるキャパシタ絶縁膜15を、酸化膜15a、窒化膜15bおよび強誘電体膜15cを順次積層した構造とした。【効果】 強誘電体膜により、コントロールゲートからのホールの窒化膜中への流入が阻止される結果、窒化膜中で、コントロールゲートからのホールと、フローティングゲートからのエレクトンとが再結合しない。また、強誘電体膜を積む際には大きな熱ストレスをかけなくて済み、サーマルパジットの低減の要請に応えることができる。
請求項（抜粋）：
電荷を注入したり、取り出したりすることで情報の記憶を行うものであって、予め定める第1の導電型式をした半導体基板、上記半導体基板の表面層に所定の間隔をあけて形成され、上記第1の導電型式とは反対の第2の導電型式をしたソース領域およびドレイン領域、上記ソース領域およびドレイン領域で挟まれるように生じるチャネル領域上に形成され、チャネル領域で発生した電荷を通過させ得るトンネル絶縁膜、上記トンネル絶縁膜上に形成され、トンネル絶縁膜を通過してきた電荷を蓄積するフローティングゲート、上記フローティングゲート上に形成され、フローティングゲートに注入された電荷を長時間閉じ込めておくためのものであって、酸化膜、窒化膜および高誘電体膜を順次積層したキャパシタ絶縁膜、ならびに上記キャパシタ絶縁膜上に形成され、所定の電圧が印加されるコントロールゲートを含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
