特許

J-GLOBAL ID：200903022568474430

半導体装置およびその製造方法

発明者： 上田 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208554
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 プローブカードの針等を滑りにくくするとともに、従来よりも接触抵抗を小さくする。【解決手段】 半導体基板(シリコン基板1)上に設けられ、かつ、中央部が周縁部よりも低い形状の電極パッド(第1および第2の金属配線層)と、上記電極パッドの下に設けられた拡散層9と、上記電極パッドの周囲に設けられたフィールド酸化膜10と、上記電極パッドの周囲に設けられ、かつ、上記電極パッドの周縁部以上の厚さを有する層間絶縁膜2を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電極パッドを有する半導体装置において、半導体基板上に設けられ、かつ、中央部が周縁部よりも低い形状の電極パッドと、前記電極パッドの下に設けられた拡散層と、前記電極パッドの周囲に設けられたフィールド酸化膜と、前記電極パッドの周囲に設けられ、かつ、前記電極パッドの周縁部以上の厚さを有する層間絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

Fターム (5件)：

5F044EE01 ,  5F044EE06 ,  5F044EE07 ,  5F044EE20 ,  5F044EE21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-285638
  
• 特開昭63-304645
  
• 特開昭62-104066
  
• 特開平3-127843