特許
J-GLOBAL ID：200903022569798530
ダイヤモンドの表面処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
有賀 正光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205973
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043265
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】ナノダイヤモンド表面処理方法において、熱硝酸、次亜塩素酸等の強酸を使用することなく、ナノダイヤモンドの表面に付着したオニオン層やグラファイト層等の付着物を除去すること。【解決手段】水とナノダイヤモンドを封入した金製カプセル11を、水を満たした圧力反応容器12に収めてある。圧力反応容器12の開口部には、密封用栓14をはめ、キャップ13によって密封用栓14を締め付けてある。この状態で電気炉16を加熱し、圧力反応容器12内の水の温度を800°C、圧力を200MPaに所定時間(8時間)保持して、圧力反応容器12と金製カプセル11内の水を超臨界水状態にして、金製カプセル11内のナノダイヤモンドを酸化処理する。所定時間後金製カプセル11を開いて、表面処理されたナノダイヤモンドを取り出す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
圧力反応容器に水とナノダイヤモンドを入れ、その圧力反応容器を加熱してその圧力反応容器内の水を超臨界水状態にし、その超臨界水状態を一定時間保持してナノダイヤモンドの付着物を除去することを特徴とするナノダイヤモンドの表面処理方法。
IPC (4件)：
C01B31/06
, B01J3/00
, B01J3/03
, B01J3/04
C01B31/06 A
, B01J3/00 A
, B01J3/03 A
, B01J3/04 A
, B01J3/04 E
4G146AA04
, 4G146AB01
, 4G146BC28
, 4G146CA16
, 4G146CB31
