特許
J-GLOBAL ID：200903022570891811
発光素子用エピタキシャルウェハおよび発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340534
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156328
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 発光強度及び光取り出し効率を向上させることができる新規な発光素子用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光素子の提供。【解決手段】 GaAs基板1上の活性層9が複数の障壁層7と井戸層8とを交互に積層した多重量子井戸構造となっている発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各井戸層8の厚さをそれぞれ変化させる。これによって、バンドギャップに分布を持たせて発光スペクトルの幅(半値幅)を広くすることができるため、その発光強度を大幅に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上の活性層が複数の障壁層と井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造となっている発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、上記各井戸層の厚さが単一ではないことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01S 5/343
5F041AA04
, 5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB07
, 5F073DA05
