半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076290
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261358
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】短波長領域の光をp側から高効率で取り出すことのできる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5をn型,p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4,7で挟み、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上にn型Ga2O3透光性電極8を形成する。n型Ga2O3透光性電極8は、紫外光に対して透明であり、また、n型Ga2O3透光性電極8とp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7との間はn-pトンネル接合が形成されて低コンタクト抵抗に抑えられつつ導通が確保される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体が用いられた半導体発光素子において、活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層の側にn型の(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いて形成されたn型透光性電極と、を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/187 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01S5/187 , H01S5/343 610

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA88 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC52 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AK02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-343345 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-343345 出願人：松下電器産業株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-365365 出願人：シャープ株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-080935 出願人：株式会社ナノテコ, 信越半導体株式会社

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