特許

J-GLOBAL ID：200903022574444720

荷電粒子線露光方法

発明者： 中筋 護 ,  沖野 輝昭
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220157
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083742
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 ネガレジストに対しても有効でかつ複数のパターンを同時に露光する場合でも近接効果によるドーズ量の変化を補正できる方法を提供する。【構成】 荷電粒子線照射装置の鏡筒内にマスク10を配設し、マスク10の主露光用成形部11a〜11dにて成形された荷電粒子線を感応基板に照射して所定のパターンを露光する。この露光の前又は後に、マスク10の補正用成形部12a〜12dにて成形された荷電粒子線を感応基板の主露光用成形部11a〜11dによるパターン転写位置へ照射する。

請求項（抜粋）：

感応基板に荷電粒子線を照射して所定のパターンを露光する主露光工程と、前記主露光工程における感応基板の荷電粒子線照射領域のみを対象として、前記主露光工程時の近接効果によりドーズ量が相対的に小さくなる荷電粒子線照射領域ほどドーズ量が増加するように荷電粒子線を照射する補正露光工程と、を備えた荷電粒子線露光方法。