特許

J-GLOBAL ID：200903022579984553

半導体装置及びその製造方法

発明者： 関根 敏孝 ,  武田 和良 ,  桧山 裕次
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215293
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261744
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 複数のパワー素子を有し、装置全体がモールド樹脂で一体に成形された半導体装置において、絶縁性と放熱性を損なうことなしに、コストの低減を実現する。【解決手段】 放熱板14の金属フレーム12と対向する側の表面に熱伝導性を有する絶縁層16を設ける構造とし、あらかじめ放熱板14に絶縁層16を形成し、この放熱板14をパワー素子11の実装された金属フレーム12に取り付けた状態でモールド樹脂による成形を行うことにより、1回の成形で半導体装置を完成できるようにした。

請求項（抜粋）：

複数のパワー素子と、該パワー素子を実装する部分を有する金属フレームと、前記パワー素子と金属フレームとを電気的に接続する接続部材と、前記金属フレームの熱を外部に放熱する放熱板とを有し、装置全体がモールド樹脂で一体に成形された半導体装置において、前記放熱板の前記金属フレームと対向する側の表面に、あらかじめ熱伝導率1W/m・k以上の絶縁層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 B