特許
J-GLOBAL ID：200903022580433269
磁気メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247678
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067862
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 相対的に保持力の大きい磁性材料からなるハード層3と、相対的に保持力の小さい磁性材料からなるソフト層1とを非磁性層2を介して積層した磁気抵抗効果膜からなるメモリセルを、互いに直交する第1の電流線6と第2の電流線4の交差部分に配置した磁気メモリ素子において、メモリセルに対する書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減する。【解決手段】 ソフト層1またはハード層3と磁気交換結合するようにソフト層1またはハード層3の近傍に配置され、かつ磁気交換結合するソフト層1またはハード層3の磁化容易軸方向において、ソフト層1またはハード層3の長さよりも長いストライプ状の磁性材料層5が設けられていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
相対的に保磁力の大きい磁性材料からなるハード層と、相対的に保磁力の小さい磁性材料からなるソフト層とを非磁性層を介して積層した磁気抵抗効果膜からなるメモリセルを、互いに直交する第1の電流線と第2の電流線の交差部分に配置した磁気メモリ素子であって、前記ソフト層または前記ハード層と磁気交換結合するように前記ソフト層または前記ハード層の近傍に配置され、かつ磁気交換結合する前記ソフト層または前記ハード層の磁化容易軸方向において前記ソフト層または前記ハード層の長さよりも長いストライプ状の磁性材料層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ素子。
IPC (3件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/32
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/32
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049BA30
