特許

J-GLOBAL ID：200903022587712627

複合SI/SIGEゲートを持つ半導体装置における相互拡散の制限方法

発明者： バンサエル ダニエル ,  カンピデリ イブ ,  マルタン フランソワーズ ,  エルナンデス カロリーヌ
出願人/特許権者： フランス テレコム
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-542185
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510438
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】本発明は、シリコン封緘層を堆積する前に、A)Sil-xGex層の上に、アモルファスまたは多結晶シリコンの薄膜を堆積した後、前記シリコン膜を酸化窒素ガスで、温度450〜600°Cの間で、104〜105Paの圧力レベルで処理して、薄い窒化されたシリコン膜を得る、または、B)Sil-xGex層の上に、アモルファスまたは多結晶シリコンの薄膜を堆積し、シリコン膜を酸化処理して膜厚1nm未満のシリコン酸化膜の表面膜を形成し、必要に応じて、酸化されたアモルファスまたは多結晶シリコンの膜をA)のように酸化窒素で処理する方法に関するものである。本発明は、CMOS半導体に適用可能である。

請求項（抜粋）：

Si/Si<SB>l-x</SB>Ge<SB>x</SB>ゲートを持つ半導体装置のSi<SB>l-x</SB>Ge<SB>x</SB>(0<x≦1)の層(4)とシリコン封緘層(7)との間でシリコンとゲルマニウムの相互拡散を制限するための層の形成方法であって、前記シリコン封緘層を堆積する前に、 A.前記Si<SB>l-x</SB>Ge<SB>x</SB>層(4)の上にアモルファスまたは多結晶シリコン(5)の薄層を堆積し、その後、窒化シリコン(6)の薄層を得るために、このシリコン層を酸化窒素ガスで、温度450〜600°Cで、圧力10<SP>3</SP>〜10<SP>5</SP>Paで処理し、または、 B.前記Si<SB>l-x</SB>Ge<SB>x</SB>層(4)の上にアモルファスまたは多結晶シリコン(5)の薄層を堆積し、このシリコン層を酸化処理して、膜厚1nm未満のシリコン酸化膜(6)の表面層を形成し、必要に応じて、酸化されたアモルファスまたは多結晶シリコン層をAのように酸化窒素で処理することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G