ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268969
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118624
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】簡単な操作により短時間で微小パターンの投影露光を行えるようにする。【構成】レチクル20は、横線パターンU1〜U3と縦線パターンV1〜V3の部分を除いて、ガラス基板上に遮光体11が被着されている。横線パターンU1〜U3は、縦線パターンV〜V3との交差部であるコンタクトホールパターンH11〜H33の部分を除いて、偏光面がY方向のY偏光を通し、偏光面がX方向のX偏光を通さないようになっている。これに対し縦線パターンV1〜V3は、コンタクトホールパターンH11〜H33の部分を除いて、X偏光を通しY偏光を通さないようになっている。光源とレチクル20との間へ偏光板を配置して横線パターンU1〜U3を投影露光させ、次に、該偏光板をその面内で90 ゚回転させて縦線パターンV1〜V3を投影露光させる。

請求項（抜粋）：

透明基板(21)上にパターン部を除き遮光体(23)が被着されて、互いに交差する第1線形パターン(U1〜U3)と第2線形パターン(V1〜V3)とが形成された半導体露光用ホトマスクであって、該第1線形パターンの、該第2線形パターンとの交差部(H11〜H33)を除いた部分の該透明基板上近傍に形成され、第1偏光を透過させ第2偏光を透過させない第1偏光選択手段(22X)と、該第2線形パターンの、該交差部を除いた部分の該透明基板上近傍に形成され、該第2偏光を透過させ該第1偏光を透過させない第2偏光選択手段(22Y)と、を有することを特徴とする半導体露光用ホトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , G02B 27/28

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W , H01L 21/30 311 L

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