特許
J-GLOBAL ID：200903022595943182
不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-057364
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235367
出願日： 1991年03月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体デバイスのバンドギャップの差を利用してフロ-ティングゲ-トを形成することにより安定した品質の不揮発性メモリを提供する。【構成】 化合物半導体基板1上にバンドキャップが大きく,かつ,トンネル電流が流れる程度に薄い厚さの第1化合物半導体層12と,バンドキャップの小さな化合物半導体層13を積層し,該バンドギャッブの小さな層13を包み込むようにトンネル電流が流れない程度に厚い厚さの第2の化合物半導体層15を積層し,前記第1,第2化合物半導体層12,15を介して前記バンドギャップの小さな半導体層13に電圧を印加する手段を設けたもの。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上にバンドキャップが大きく,かつ,トンネル電流が流れる程度に薄い厚さの第1化合物半導体層と,バンドキャップの小さな化合物半導体層を積層し,該バンドギャッブの小さな層を包み込むようにトンネル電流が流れない程度に厚い厚さの第2の化合物半導体層を積層し,前記第1,第2化合物半導体層を介して前記バンドギャップの小さな半導体層に電圧を印加する手段を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/10 431
