特許

J-GLOBAL ID：200903022596928942

半導体記憶装置とその製造に用いる露光用マスク

発明者： 尾崎 徹 ,  松尾 佳子 ,  仁田山 晃寛 ,  橋本 耕治 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271128
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097384
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 さらなる素子面積の微細化に際して、ストレージノードコンタクトのためのn型層と、隣接セルの素子領域(ソース・ドレイン領域)との間のリークを防止し、信頼性の高いトレンチ型キャパシタ構造を有する半導体記憶装置を提供すること。【構成】 トレンチキャパシタを有するDRAMにおいて、シリコン基板100の表面に市松状に形成されたシリコン柱101と、シリコン基板100の表面のシリコン柱101に囲まれた領域にシリコン柱101と自己整合的に設けられたトレンチ102とを備え、シリコン柱101にメモリセルのMOSトランジスタを形成し、トレンチ102にメモリセルのキャパシタを形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に市松状に形成された凸部と、前記基板の表面の凸部に囲まれた領域に該凸部と自己整合的に設けられた溝部とを備え、前記凸部にメモリセルのMOSトランジスタが形成され、前記溝部にメモリセルのキャパシタが形成されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/10 325 D ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W