特許
J-GLOBAL ID：200903022601250186
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334675
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167196
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 従来の半導体レーザデバイス構造を活用しながら、動的単一縦モード、TMモード発振する、モノシリック集積化を可能とする光集積回路用半導体レーザ装置を得る。【構成】 n-InP基板6に、電子線ビーム直接描画法によりグレーディング5を描写し、グレーディングの線方向に対する傾き(入射角)45 ゚の方向に第一、第二の活性導波路7、8を形成する。この2つの活性導波路と回折格子領域を結合する導波路9を設ける。グレーディングの形状によって決まる結合定数を最適値にし、回折格子幅Λ=2418A,L=20μmとする時、グレーティングへの入射光のTMモード偏波成分の回折効率が30%、TEモード偏波成分の回折効率について0%が得られる。1は波長組成1.55μmのノンドープInGaAsP活性層、2はp-InPクラッド層、3は波長組成 1.3μmのn-InGaAsP導波路層、4は電極、10はp-InP電流ブロック層、11はn-InP電流閉じ込め層、12はHR(高反射)コート膜である。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第一、第二のストライプ状の活性導波路が、互いの共振器長方向が直角になるように配置され、さらに前記2つの導波路が交差する領域に回折格子が形成されている半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/027
, H01P 1/16
