特許

J-GLOBAL ID：200903022605810089

半導体薄膜の製造方法及びその製造装置

発明者： 浮世 典孝 ,  岩根 正晃 ,  吉野 豪人 ,  水谷 匡希 ,  西田 彰志 ,  岩上 誠 ,  齊藤 哲郎 ,  庄司 辰美
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-306545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184709
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 成膜レート及び成長した膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】 半導体を溶質として含む溶液で満たされた坩堝内に、複数の基板を浸漬し、基板を溶液内で移動させながら半導体薄膜を成長させる半導体薄膜の製造方法において、基板の成長面の中心部分における法線方向と、基板の移動方向とのなす角度を5度以上87度以下とし、基板の移動で前記溶液の流れを形成する、またはその角度を93度以上175度以下とし、基板の移動で前記成長面の近傍に実質的に渦流を生じることなく溶液の流れを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体を溶質として含む溶液で満たされた坩堝内に、複数の基板を浸漬し、該基板を溶液内で移動させながら半導体薄膜を成長させる半導体薄膜の製造方法において、前記基板の成長面の中心部分における法線方向と、前記基板の移動方向とのなす角度を5度以上87度以下とし、前記基板の移動で前記溶液の流れを形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/208 D ,  H01L 33/00 B ,  H01L 31/04 A

Fターム (25件)：

5F041CA04 ,  5F041CA39 ,  5F041CA63 ,  5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F053AA03 ,  5F053AA47 ,  5F053BB04 ,  5F053BB52 ,  5F053BB54 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053DD04 ,  5F053DD05 ,  5F053DD07 ,  5F053DD12 ,  5F053DD15 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL02 ,  5F053LL05 ,  5F053RR01