特許

J-GLOBAL ID：200903022611673450

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： 鈴木 伸昌 ,  林 専一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-163573
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年06月29日
要約：

【要約】【目的】 光を利用したCVD法において、基体上に均一に成膜が行なえるようにする。【構成】 ?@プラズマ発生室4と反応室1とを、貫通孔の直径が3mm以下であって開口率が1〜5%であり、少なくとも反応室1側の面が拡散面となっている多孔拡散板12で仕切る。あるいは、?A堆積性のガスを反応室に供給するための手段を多孔拡散板の内部に設ける。?B基体の中央部に対応する位置と周辺部に対応する位置に堆積性のガスを導入する手段をそれぞれ独立に設ける。また、成膜する膜がSiO2膜であるときは、?CO2,O3,N2Oなどの酸化性のガスと、シリコン原子に結合した少なくとも1個の水酸基を有するシラノールとを反応させて成膜を行なうようにする。

請求項（抜粋）：

基体上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、反応室と、前記反応室内に設けられ前記基体を保持する支持体と、透光性の多孔拡散板を介して反応室に隣接して設けられ少なくとも一部が透光性の部材からなるプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記反応室にガスを導入する第1のガス導入手段と、前記プラズマ発生室にガスを導入する第2のガス導入手段と、前記反応室および前記プラズマ発生室を排気する排気手段と、前記プラズマ発生室の外部に設けられ前記プラズマ発生室および前記多孔拡散板を介して前記支持体に保持された基体に光を照射する光源とを有し、前記多孔拡散板の少なくとも前記反応室側の面が光を散乱する拡散面である薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316