特許

J-GLOBAL ID：200903022614406517

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 藤 井 謙 一 ,  山 本 睦 ,  石 原 伸 一 郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334701
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232162
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの製造工程短縮、半導体層の表面暴露の低減、およびトランジスタ特性の基板内ばらつきの低減。【構成】 チャネル長を決定する上部窒化シリコン膜18をCF4 およびCHF3 を主成分ガスとして含むプラズム中でドライエッチングする工程と、アモルファス質または多結晶質のシリコン膜14の表面近傍にn型またはp型のドーピング層15を形成するイオン注入工程とを連続して行なう。これにより、上部窒化シリコン膜のエッチング加工時のサイドエッチ量を低減させ、トランジスタのオン電源のばらつきを抑える。また不要な酸化膜の形成や不純物の吸着を抑え、トランジスタを基板全面に均一に形成する。

請求項（抜粋）：

CF4 およびCHF3 を主成分ガスとして含むプラズマ中で窒化シリコン膜をドライエッチングする工程と、アモルファス質または多結晶質のシリコン膜の表面近傍にn型またはp型のドーピング層を形成するイオン注入工程とを連続して行なうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-289251
  
• 特開昭61-089670
  
• 特開昭62-154627
  
• 特開昭62-154627
  
• 特開平4-137751