特許

J-GLOBAL ID：200903022618573990

半導体装置の製造方法

発明者： 小川 真一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-089134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284439
出願日： 1997年04月08日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 サリサイド構造の半導体装置を製造する際、ソース・ドレイン上のシリサイド/Si基板界面が、自然酸化膜の影響を受けないほぼ平坦な構造を形成する。【解決手段】 選択的に開口されたSi基板8上に極く薄い酸化膜9を形成し、さらに酸化物の生成エネルギーがSi基板8よりも負の方向に大きいTiのような第1の金属薄膜10を堆積した後、酸化物の生成エネルギーが半導体よりも小さいCoのような第2の金属薄膜11を積層堆積する。その後シリサイド化の熱処理を行ってCoSi2のような層13を形成する。これにより、TiによるSi酸化膜還元反応をSi基板8上で極めて均一とするため、CoとSiとのシリサイド化反応が不均一となることを防止し、凹凸の無いCoSi2/Si基板界面が形成できる。

請求項（抜粋）：

選択的に開口された半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板上に酸化物の生成エネルギーが前記半導体よりも負の方向に大きい第1の金属膜を堆積した後、酸化物の生成エネルギーが前記半導体基板よりも小さい第2の金属膜を堆積する工程と、この後、前記第1、及び第2の金属膜の前記半導体基板との反応温度以上の温度で熱処理を行う工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 Y