特許

J-GLOBAL ID：200903022621103848

電力用半導体装置

発明者： 山口 正一 ,  八幡 彰博 ,  加藤 千晴 ,  中山 和也 ,  長谷川 滋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057251
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255919
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】従来よりも高耐圧のプレーナ型高耐圧ダイオードを得ること。【構成】リサーフ層としてのp- 型層103とシリコン酸化膜106との界面に補正用の電荷112を導入して、製造工程中に素子内に混入した固定電荷等の悪影響をキャンセルする。

請求項（抜粋）：

高抵抗の第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された高濃度の第2導電型半導体層と、この高濃度の第2導電型半導体層に接して、その周囲の前記高抵抗の第1導電型半導体層の表面に形成された低濃度の第2導電型半導体層と、前記高濃度および低濃度の第2導電型半導体層ならびにその外側の前記高抵抗の第1導電型半導体層上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成された開口部を介して前記高濃度の第2導電型半導体層に設けられた第1の主電極と、前記第2導電型半導体層と反対側の前記高抵抗の第1導電型半導体層の表面に形成された高濃度の第1導電型半導体層または第2導電型半導体層と、この高濃度の第1導電型半導体層または第2導電型半導体層に設けられた第2の主電極とを具備してなり、前記絶縁膜と前記低濃度の第2導電型半導体層との界面、前記低濃度の第2導電型半導体層上の前記絶縁膜中または該絶縁膜上に、所定量の電荷が存在することを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 G